5秒后页面跳转
N2060V1TB1S PDF预览

N2060V1TB1S

更新时间: 2024-11-12 17:12:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

N2060V1TB1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE元件数量:6
相数:3峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N2060V1TB1S 数据手册

  

与N2060V1TB1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N2060V1TBC1S MICROSEMI

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060V1TC1S MICROSEMI

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060V1TN1S MICROSEMI

获取价格

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EB1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EB1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EBC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EBC1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EC1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EC1SE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,
N2060W1EN1S MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,