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N1314NC300

更新时间： 2024-11-13 20:40:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
10页 292K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2576A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element,

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N1314NC300 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.82配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：300 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：2576 A
断态重复峰值电压：3000 V重复峰值反向电压：3000 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N1314NC300 数据手册

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Date:- 1 Aug, 2008  
WESTCODE  
Data Sheet Issue:- 2  
An IXYS Company  
Phase Control Thyristor  
Types N1314NC300 to N1314NC360  
Old Type No.: N570CH24-36  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
3000-3600  
3000-3600  
3000-3600  
3100-3700  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current. Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current. Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current. Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
1314  
A
A
914  
564  
A
2576  
2278  
16.6  
A
A
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
18.3  
1.38×106  
1.67×106  
150  
I2t  
diT/dt  
300  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, ITM=3000A, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types N1314NC300 to N1314NC360 Issue 2  
Page 1 of 10  
August, 2008  
1234567...10

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与N1314NC300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1314NC300-360 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2580A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element
N1314NC320 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2576A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element
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 		Silicon Controlled Rectifier, 2576A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element
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 		Silicon Controlled Rectifier, 2576A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
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