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N1263CZ50GOO

更新时间： 2024-11-09 20:51:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

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N1263CZ50GOO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：300 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4880 A
断态重复峰值电压：5000 V重复峰值反向电压：5000 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

N1263CZ50GOO 数据手册

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Date : Dec-99  
Rat Rep : 99T07  
Issue 2  
WESTCODE  
Converter thyristor  
Type N1263xx43xxx to N1263xx52xxx  
Absolute maximum ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
4300-5200  
4300-5200  
4300-5200  
4400-5300  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 5).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3).  
Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2).  
D.C. on-state current, 25°C, (note 7).  
2500  
A
A
1750  
1080  
A
4880  
A
4350  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 4).  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=3ms, VRM≤0.6VRRM, (note 4).  
Critical rate of rise of on-state current (continuous), (note 6).  
Critical rate of rise of on-state current (intermittent), (note 6).  
Peak forward gate current.  
37.8x103  
42.0x103  
7.1x106  
8.8x106  
5.1x106  
150  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
A
I2t  
I2t  
di/dt  
300  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
10  
Peak reverse gate voltage.  
5
V
Mean forward gate power.  
5
W
Peak forward gate power.  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 5).  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range.  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range.  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per K is applicable for Tj below 25°C.  
2) Doubleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Singleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
5) Rated VDRM.  
6) VD=67%VDRM, IT=5000A, IFG=2A, tr=500ns.  
7) Doubleside cooled.  
Types N1263xx43xxx to N1263xx52xxx Rating Report 99T07  
page 1 of 8  
December, 1999  
12345678

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与N1263CZ50GOO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1263CZ50JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1263CZ50KOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1263CZ50LOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880 A, 5000 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1263CZ52 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880 A, 5200 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1263CZ52HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1263CZ52JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880 A, 5200 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1263CZ52KOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1263DH44 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1263DH44HOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880 A, 4400 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1263DH44KOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4880A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element, 101A32

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