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N1063CH53LOO

更新时间： 2024-11-24 20:54:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3930A I(T)RMS, 5300V V(DRM), 5300V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

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N1063CH53LOO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：300 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3930 A断态重复峰值电压：5300 V
重复峰值反向电压：5300 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N1063CH53LOO 数据手册

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Date : Dec-99  
Rat Rep : 99T01  
Issue 2  
WESTCODE  
Converter thyristor  
Type N1063xx53xxx to N1063xx65xxx  
Absolute maximum ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1).  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1).  
5300-6500  
5300-6500  
5300-6500  
5400-6600  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 5).  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3).  
Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2).  
D.C. on-state current, 25°C, (note 7).  
2010  
A
A
1400  
870  
A
3930  
A
3500  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 4).  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.4VRRM, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 4).  
I2t capacity for fusing tp=3ms, VRM≤0.4VRRM, (note 4).  
Critical rate of rise of on-state current (continuous), (note 6).  
Critical rate of rise of on-state current (intermittent), (note 6).  
Peak forward gate current.  
25.2x103  
28x103  
3.2x106  
3.9x106  
2.6x106  
150  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
A
I2t  
I2t  
di/dt  
300  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
10  
Peak reverse gate voltage.  
5
V
Mean forward gate power.  
5
W
Peak forward gate power.  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 5).  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range.  
-40 to +115  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range.  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per K is applicable for Tj below 25°C.  
2) Doubleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Singleside cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Half-sinewave, 115°C Tj initial.  
5) Rated VDRM.  
6) VD=67%VDRM, IT=4000A, IFG=2A, tr=500ns.  
7) Doubleside cooled.  
Types N1063xx53xxx to N1063xx65xxx Rat. Rep. 99T01  
page 1 of 8  
December, 1999  
12345678

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与N1063CH53LOO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N1063CH55LOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3155.7A I(T)RMS, 5500V V(DRM), 5500V V(RRM), 1 Element, 101A
N1063CH57 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3930 A, 5700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1063CH57GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3930 A, 5700 V, SCR, 101A325, 3 PIN
N1063CH57JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3930A I(T)RMS, 5700V V(DRM), 5700V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1063CH57KOO IXYS

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N1063CH59 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3930A I(T)RMS, 5900V V(DRM), 5900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1063CH59GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3930A I(T)RMS, 5900V V(DRM), 5900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1063CH59LOO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 3930A I(T)RMS, 5900V V(DRM), 5900V V(RRM), 1 Element, 101A32
N1063CH60GOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3155.7A I(T)RMS, 6000V V(DRM), 6000V V(RRM), 1 Element
N1063CH60JOO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3155.7A I(T)RMS, 6000V V(DRM), 6000V V(RRM), 1 Element

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