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N0676YS120

更新时间： 2024-11-05 19:46:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1346A I(T)RMS, 1138000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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N0676YS120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X3
最大漏电流：40 mA通态非重复峰值电流：7500 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：1138000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1346 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

N0676YS120 数据手册

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Date:- 6 Feb, 2001  
Data Sheet Issue: 1  
WESTCODE  
Phase Control Thyristor  
Types N0676YS120 to N0676YS180  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1200-1800  
1200-1800  
1200-1800  
1300-1900  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, 25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, 25°C, (note 4)  
676  
456  
A
A
270  
A
1346  
1138  
7500  
8300  
281×103  
345×103  
500  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
A
≤
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM 10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
diT/dt  
1000  
5
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
Operating temperature range  
0.25  
V
THS  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, ITM=1000A, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet Issue 1. Types N0676YS120 to N0676YS180  
Page 1 of 9  
February, 2001  
1234567...9

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与N0676YS120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N0676YS120-180 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1346A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
N0676YS160 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1346A I(T)RMS, 1138000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
N0676YS180 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1346A I(T)RMS, 1138000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
N06DB100J TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD
N06DB100K TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2930, CHIP, ROHS COMPLI
N06DB100M TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2930
N06DB100N TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 100uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2930, CHIP, ROHS COMPL
N06DB101M TAIYO YUDEN

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 		General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2930

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