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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS |
| 外壳连接： | BASE | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 290 W | 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MZ0912B100YTRAY | NXP |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| MZ0912B250Y | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| MZ0912B350Y | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| MZ0912B50Y | NXP |
获取价格 |
NPN microwave power transistor |
|
| MZ0912B50Y,114 | NXP |
获取价格 |
MZ0912B50Y |
|
| MZ0912B50YTRAY | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, METAL CERAMIC PACKAGE-2, BIP RF Power |
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| MZ1.0GD100V-2.5 | MIC |
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ZENER DIODE |
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| MZ1.0GD10V-25 | MIC |
获取价格 |
ZENER DIODE |
|
| MZ1.0GD11V-23 | MIC |
获取价格 |
ZENER DIODE |
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| MZ1.0GD12V-21 | MIC |
获取价格 |
ZENER DIODE |
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