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MZ0912B100YTRAY

更新时间： 2024-11-14 19:47:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	119K
描述
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

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MZ0912B100YTRAY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS	外壳连接：	BASE
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

MX0912B100Y; MZ0912B100Y

NPN microwave power transistors

1997 Feb 20

Product speciﬁcation

Supersedes data of June 1992

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MZ0912B250Y	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
MZ0912B350Y	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
MZ0912B50Y	NXP	获取价格	NPN microwave power transistor
MZ0912B50Y,114	NXP	获取价格	MZ0912B50Y
MZ0912B50YTRAY	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, METAL CERAMIC PACKAGE-2, BIP RF Power
MZ1.0GD100V-2.5	MIC	获取价格	ZENER DIODE
MZ1.0GD10V-25	MIC	获取价格	ZENER DIODE
MZ1.0GD11V-23	MIC	获取价格	ZENER DIODE
MZ1.0GD12V-21	MIC	获取价格	ZENER DIODE
MZ1.0GD13V-19	MIC	获取价格	ZENER DIODE