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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 主体宽度： | 11.4 mm |
| 主体高度： | 11 mm | 主体长度或直径： | 15.4 mm |
| 线圈工作电压（直流）： | 3.5 V | 线圈释放电压（直流）： | 0.25 V |
| 线圈电阻： | 120 Ω | 标称线圈电压： | 5 V |
| 线圈/输入电源类型： | DC | 触点（交流）最大额定功率R负载： | 60VA@120VAC |
| 触点（交流）最大额定R负载： | 1A@120VAC | 最大触点电流（交流）： | 1 A |
| 最大触点电流（直流）： | 1 A | 触点（直流）最大额定功率R负载： | 24W@60VDC |
| 触点（直流）最大额定R负载： | 1A@60VDC | 触点电阻： | 100 m Ω |
| 最大触点电压（交流）： | 120 V | 最大触点电压（直流）： | 60 V |
| 触点/输出电源类型： | AC/DC | 线圈与触点之间的介电强度： | 1500 Vrms |
| 断开触点之间的介电强度： | 1000 Vrms | 电气寿命： | 500000 Cycle(s) |
| 末端触点材料： | Silver Palladium | 末端触点镀层： | GOLD |
| 输入切换控制类型： | Random | 绝缘电阻： | 1000000000 Ω |
| 端子数量： | 5 | 工作时间： | 6 ms |
| 最高工作温度： | 75 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| PCB 孔数： | 5 | 物理尺寸： | 15.4mm x 11.4mm x 11mm |
| 参考标准： | CSA; UL | 继电器动作： | LATCHED |
| 继电器样式： | 1 FORM C | 继电器功能： | SPDT |
| 继电器类型： | POWER/SIGNAL RELAY | 释放时间： | 3 ms |
| 端子长度： | 0.0031 inch | 端接类型： | SOLDER |
| 重量： | 3.5 g | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MZ-5WHS-K | FUJITSU |
获取价格 |
Power/Signal Relay, 1 Form C, SPDT, Latched, 1A (Contact), 60VDC (Contact), DC Input, Rand |
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| MZ-5WHS-U | FUJITSU |
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Power/Signal Relay, 1 Form C, SPDT, Latched, 1A (Contact), 60VDC (Contact), DC Input, Rand |
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| MZ-5WHS-U-0H | FUJITSU |
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Power/Signal Relay |
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| MZ600 | MICROSEMI |
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THREE PHASE 12 AMP BRIDGE RECTIFIER |
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| MZ600F | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| MZ600FS | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| MZ600FT | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| MZ600S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| MZ600T | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| MZ6310 | TE |
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DOUBLE-BALANCED MIXER |
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