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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-214AB |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.56 |
| 最大击穿电压： | 49.1 V | 最小击穿电压： | 44.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 3000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.61 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MXSMLJ40AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MXSMLJ40ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MXSMLJ40CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MXSMLJ40CA/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MXSMLJ40CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MXSMLJ40CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MXSMLJ40CAE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MXSMLJ40CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| MXSMLJ40CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MXSMLJ40CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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