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MXRT100KP45E3

更新时间: 2024-11-23 14:30:35
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 434K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 45V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

MXRT100KP45E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:55.3 V
最小击穿电压:50 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-204AR
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:100000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:7 W
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:45 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MXRT100KP45E3 数据手册

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