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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.43 |
| 最大击穿电压： | 210 V | 最小击穿电压： | 190 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 171 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MXP6KE200AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| MXP6KE200ATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| MXP6KE200CA | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS |
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| MXP6KE200CAE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| MXP6KE200CAE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| MXP6KE200CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS |
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| MXP6KE200CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| MXP6KE200CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| MXP6KE200CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS |
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| MXP6KE200E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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