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MXLP5KE51CAE3

更新时间： 2024-11-06 14:35:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管电视
页数	文件大小	规格书
7页	457K
描述
500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

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MXLP5KE51CAE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	62.7 V	最小击穿电压：	56.7 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.19 W	参考标准：	IEC-61000-4-5
最大重复峰值反向电压：	51 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN OVER COPPER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MXLP6KE100A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MXLP6KE100AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MXLP6KE100AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MXLP6KE100ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MXLP6KE100CA/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MXLP6KE100CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MXLP6KE100CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MXLP6KE10AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MXLP6KE10AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MXLP6KE10ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN