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MX30KP36C

更新时间： 2024-11-02 20:05:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1559K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

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MX30KP36C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	48.9 V
最小击穿电压：	40 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	30000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.61 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	36 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MX30KP36CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MX30KP36CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MX30KP36CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
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MX30KP36CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MX30KP36CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MX30KP36CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MX30KP36E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MX30KP36E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MX30KP36TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL