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MX29GL640EBXEI-70G

更新时间: 2024-01-11 01:31:49
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
82页 1054K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.30 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-219, LFBGA-48

MX29GL640EBXEI-70G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA48,6X8,32
针数:48Reach Compliance Code:unknown
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:2.32
最长访问时间:70 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48长度:8 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:8,127端子数量:48
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH页面大小:8/16 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.3 mm部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:6 mm
Base Number Matches:1

MX29GL640EBXEI-70G 数据手册

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MX29GL640E T/B  
MX29GL640E H/L  
MX29GL640E T/B, MX29GL640E H/L  
DATASHEET  
P/N:PM1494  
REV. 1.6, OCT. 30, 2013  
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