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MX29GL640EBXEI-90G

更新时间: 2024-02-27 13:16:40
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
82页 1054K
描述
Flash, 4MX16, 90ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1.30 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-219, LFBGA-48

MX29GL640EBXEI-90G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA48,6X8,32
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.36最长访问时间:90 ns
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PBGA-B48
长度:8 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:8,127
端子数量:48字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
页面大小:8/16 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.3 mm
部门规模:8K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:6 mmBase Number Matches:1

MX29GL640EBXEI-90G 数据手册

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MX29GL640E H/L  
MX29GL640E T/B, MX29GL640E H/L  
DATASHEET  
P/N:PM1494  
REV. 1.6, OCT. 30, 2013  
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