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MX29GL640ELT2I-90G

更新时间: 2024-01-31 03:46:00
品牌 Logo 应用领域
旺宏电子 - Macronix 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
82页 1054K
描述
Flash, 4MX16, 90ns, PDSO56, 14 X 20 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP-56

MX29GL640ELT2I-90G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数:56Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:5.34
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G56
JESD-609代码:e3长度:18.4 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:128端子数量:56
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP56,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE页面大小:8/16 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MX29GL640ELT2I-90G 数据手册

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MX29GL640E T/B  
MX29GL640E H/L  
MX29GL640E T/B, MX29GL640E H/L  
DATASHEET  
P/N:PM1494  
REV. 1.6, OCT. 30, 2013  
1

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