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MX25L512EZUI-10G

更新时间： 2024-01-22 14:19:41

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MX25L512EZUI-10G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SON	包装说明：	USON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	7.96
备用内存宽度：	1	最大时钟频率 (fCLK)：	104 MHz
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	2
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSON	封装等效代码：	SOLCC8,.11,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.6 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	2 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

MX25L512E

512K-BIT [x 1/x 2]

CMOS SERIAL NOR FLASH MEMORY

Key Features

• Low Power Consumption

• 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Dual Output Mode (DREAD)

• Auto Erase and Auto Program Algorithm

• HOLD FEATURE

P/N: PM1669

Rev. 1.4, July 21, 2016

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MX25L512MC-12G	Macronix	512K-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L512MI-12G	Macronix	512K-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L512ZMC-12G	Macronix	Flash, 512KX1, 6 X 5 MM, 1 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-220, SON-8	获取价格
MX25L512ZUI-12G	Macronix	512K-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH	获取价格
MX25L6402	Macronix	64M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLite FlashTM MEMORY	获取价格
MX25L6402A	Macronix	64M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLite FlashTM MEMORY	获取价格