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MV1866D-5%

更新时间: 2024-11-23 16:12:11
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APITECH 测试二极管变容二极管
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1页 86K
描述
Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

MV1866D-5% 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-CEMW-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:60 V配置:SINGLE
二极管电容容差:5%最小二极管电容比:2.8
标称二极管电容:10 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:O-CEMW-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:MICROWAVE认证状态:Not Qualified
最小质量因数:250最大反向电流:0.02 µA
反向测试电压:55 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
变容二极管分类:ABRUPTBase Number Matches:1

MV1866D-5% 数据手册

  

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