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MV1866H-5%

更新时间: 2024-11-23 16:12:11
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APITECH 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 86K
描述
Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

MV1866H-5% 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-CUPM-N1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:60 V外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管电容容差:5%
最小二极管电容比:2.8标称二极管电容:10 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:O-CUPM-N1元件数量:1
端子数量:1封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最小质量因数:250
最大反向电流:0.02 µA反向测试电压:55 V
表面贴装:NO端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

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