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MUR4100ERL

更新时间: 2024-11-23 20:20:23
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页数 文件大小 规格书
4页 158K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon

MUR4100ERL 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.39
Is Samacsys:N其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.85 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:70 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:4 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:25 µA最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

MUR4100ERL 数据手册

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