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MUR4100ERLG

更新时间： 2024-02-10 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
SWITCHMODE TM Power Rectifiers

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MUR4100ERLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.85 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MUR4100ERLG 数据手册

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MUR480E, MUR4100E  
SWITCHMODEt  
Power Rectifiers  
Ultrafast “E’’ Series with High Reverse  
Energy Capability  
http://onsemi.com  
These state−of−the−art devices are designed for use in switching  
power supplies, inverters and as free wheeling diodes.  
ULTRAFAST RECTIFIER  
4.0 AMPERES, 800−1000 VOLTS  
Features  
• 20 mJ Avalanche Energy Guaranteed  
• Excellent Protection Against Voltage Transients in Switching  
Inductive Load Circuits  
• Ultrafast 75 Nanosecond Recovery Time  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Low Forward Voltage  
• Low Leakage Current  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• Reverse Voltage to 1000 V  
• These are Pb−Free Devices*  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 1.1 Gram (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
AXIAL LEAD  
CASE 267  
STYLE 1  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
MARKING DIAGRAM  
260°C Max. for 10 Seconds  
• Shipped in Plastic Bags, 5,000 per Bag  
• Available Tape and Reel, 1,500 per Reel, by Adding a “RL’’ Suffix to  
the Part Number  
• Polarity: Cathode indicated by Polarity Band  
A
MUR  
4xxx  
YYWWG  
G
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
V
RWM  
V
MUR480E  
MUR4100E  
800  
1000  
A
= Assembly Location  
R
MUR4xxx= Device Number (see page 2)  
YY  
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Average Rectified Forward Current  
(Square Wave; Mounting Method #3 Per Note 2)  
I
4.0 @  
T = 35°C  
A
A
A
F(AV)  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
70  
FSM  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−65 to  
+175  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
February, 2007 − Rev. 7  
MUR480E/D  
123456

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