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MUR160

更新时间： 2024-01-07 13:23:08
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
SUPER FAST RECTIFIER

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MUR160 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.03
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MUR160 数据手册

 浏览型号MUR160的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MUR160的Datasheet PDF文件第3页 
GALAXY ELECTRICAL  
MUR105 --- MUR160  
BL  
VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V  
CURRENT: 1.0 A  
SUPER FAST RECTIFIER  
FEATURES  
Low cost  
DO - 41  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO--41,molded plastic  
Terminals: Axial lead ,solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams  
Mounting position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.  
MUR  
105  
MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR  
UNITS  
110  
115  
120  
130  
140  
150  
160  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forw ard rectified current  
1.0  
A
IF(AV)  
9.5mm lead length,  
@TA=75  
Peak forw ard surge current  
IFSM  
35.0  
A
8.3ms single half-sine-w ave  
superimposed on rated load @TJ=125  
Maximum instantaneous forw ard voltage  
@ 1.0A  
0.875  
1.2  
VF  
IR  
1.25  
V
A
Maximum reverse current  
@TA=25  
10.0  
at rated DC blocking voltage @TA=100  
Maximum reverse recovery time (Note1)  
100.0  
25  
50  
ns  
pF  
/W  
trr  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note2)  
(Note3)  
22  
CJ  
50  
Rθ  
JA  
Operating junction temperature range  
- 55 ----- + 150  
- 55 ----- + 150  
TJ  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
www.galaxycn.com  
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.1V DC.  
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.  
Document Number 0264011  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
123

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