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MUR1060-B

更新时间： 2024-01-01 18:04:56

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	157K
描述
Rectifier Diode,

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MUR1060-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

MUR1060-B 数据手册

M C C

MUR1005 thru MUR1060

Micro Commercial Components

FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE

PEAK FORWARD SURGE CURRENT

FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

100

Pulse Width 8.3ms

Single Half-Sire-Wave

(JEDEC Method)

60 Hz Resistive or

Inductive load

100

150

100

LEAD TEMPERATURE, ^oC

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.3 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

1000

TJ=125^oC

100

MUR1005~MUR1020

MUR1040~MUR1060

TJ=25^oC

PULSE WIDTH=300uS

1% DUTY CYCLE

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,

VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%

FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

1000

TJ = 25^oC

f = 1.0 MHZ

Vsig = 50mVp-p

100

0.1

1.0

4.0 10

100

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

www.mccsemi.com

Revision: 1

2007/10/08

2 of 3

123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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