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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MUN5231DW1T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-01, 6 PIN |
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| MUN5231DW-G | WEITRON |
获取价格 |
Transistor |
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| MUN5231T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5231T1 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5231T1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
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| MUN5231T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5231T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, |
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| MUN5231T3 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN |
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| MUN5232 | WEITRON |
获取价格 |
NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
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| MUN5232 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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