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MTZJ9.1B

更新时间: 2024-11-13 03:08:43
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罗姆 - ROHM 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 179K
描述
Zener diode

MTZJ9.1B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e1
膝阻抗最大值:120 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
最大反向电流:0.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:2.5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

MTZJ9.1B 数据手册

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MTZJ4.7B  
Diodes  
Zener diode  
MTZJ4.7B  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Constant voltage control  
TYPE NO. (BLACK)  
CATHODE BAND (BLACK)  
φ0.4±0.1  
zFeatures  
1) Glass sealed envelope. (MSD)  
2) High reliability.  
2.7±0.3  
29±1  
29±1  
φ1.8±0.2  
ROHM : MSD  
JEDEC : DO-34  
EX. MTZJ3.6B  
zConstruction  
Silicon planer  
zTaping specification (Unit : mm)  
IVORY  
S dard dimension  
tan  
A
H2  
H2  
Mark  
value (mm)  
BLUE  
E
I
T-31 52.4±1.5  
T-32 26.0+0.4  
'-0  
B
5.0±0.5  
0.5MAX  
0
C
50.4±0.4  
0.3MAX  
0.1MIN  
0MIN  
G1  
G2  
H1  
H2  
I
6.0±0.5  
5.0±0.5  
0.5MAX  
0.6MAX  
3.2MIN  
L2  
L1  
L1-L2  
t
F
D
H1  
H1  
G1  
*H2(6mm):BROWN  
G2  
t
cf : cumulativ e pitch tolerance with 20 pitch than ±1.5mm  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
500  
175  
Symbol  
P
Unit  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
-65 to +175  
Tstg  
Rev.A  
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