生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 50 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP4N40ET | MOTOROLA |
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暂无描述 | |
MTP4N40EU2 | MOTOROLA |
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4A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP4N40EUA | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP4N40EW | MOTOROLA |
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4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP4N40EWC | MOTOROLA |
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暂无描述 | |
MTP4N45 | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V | |
MTP4N45 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V | |
MTP4N45 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP4N45M | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 4A | |
MTP4N4S | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V |