是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP4N45M | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 4A | |
MTP4N4S | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V | |
MTP4N50 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V | |
MTP4N50 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP4N50 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 4A | |
MTP4N50E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS | |
MTP4N50E | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | |
MTP4N50E16 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP4N50EA | MOTOROLA |
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4A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP4N50EA16A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |