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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 190 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 24 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTI145WX100GD-SMD | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0022ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, |
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| MTI145WX100GD-SMD | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0022ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, |
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| MTI18-250 | 3M |
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COPPER ALLOY, TIN FINISH, BULLET TERMINAL |
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| MTI200WX75GD | LITTELFUSE |
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这些Mosfet模块系列提供SixPack配置，具有低导通电阻的快速切换沟槽Mosfet和 |
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| MTI3006X | INFINEON |
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VHF/UHF-Tuner IC |
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| MTI85W100GC | LITTELFUSE |
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这些Mosfet模块系列提供SixPack配置，具有低导通电阻的快速切换沟槽Mosfet和 |
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| MTIL113 | MOTOROLA |
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6-Pin DIP Optoisolators Darlington Output |
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| MTIL117 | MOTOROLA |
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6-Pin DIP Optoisolator Transistor Output |
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| MTIYI15N35 | NJSEMI |
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Maximum Lead Temp |
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| MTIYI15N40 | NJSEMI |
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Maximum Lead Temp |
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