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MTI145WX100GD-SMD PDF预览

MTI145WX100GD-SMD

更新时间： 2024-11-21 19:50:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0022ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOPLUS-DIL, 24 PIN

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MTI145WX100GD-SMD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：ROHS COMPLIANT, ISOPLUS-DIL, 24 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
外壳连接：ISOLATED配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：190 A
最大漏源导通电阻：0.0022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e3
元件数量：6端子数量：24
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTI145WX100GD-SMD 数据手册

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MTI 145WX100GD  
VDSS  
ID25  
= 100 V  
= 190 A  
Three phase full Bridge  
with Trench MOSFETs  
in DCB isolated high current package  
RDSon typ. = 1.7 mW  
L1+  
G3  
L2+  
G5  
L3+  
L3  
G1  
S1  
S3  
L1  
S5  
L2  
G2  
S2  
G4  
G6  
S4  
S6  
L1-  
L2-  
L3-  
Applications  
MOSFETs  
AC drives  
• in automobiles  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
100  
V
- electric power steering  
- starter generator  
• in industrial vehicles  
- propulsion drives  
- fork lift drives  
VGS  
VGSM  
max DC gate voltage  
max transient gate source voltage  
15  
20  
V
V
ID25  
ID90  
max drain current  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
190  
145  
A
A
• in battery supplied equipment  
IF25  
IF90  
max source drain current (diode)  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
182  
103  
A
A
Features  
• MOSFETs in trench technology:  
- low RDSon  
- optimized intrinsic reverse diode  
• package:  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
- high level of integration  
- high current capability  
- aux. terminals for MOSFET control  
- terminals for soldering or welding  
connections  
- isolated DCB ceramic base plate  
with optimized heat transfer  
• Space and weight savings  
min. typ. max.  
1)  
RDSon  
on chip level at  
VGS = 10 V; ID = 100 A  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1.7  
2.9  
2.2  
mW  
mW  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = VGS; ID = 275 µA  
VDS = VDSS; VGS = 0 V  
2.0  
2.7  
3.5  
V
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1
µA  
mA  
10  
100  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
100  
nA  
Qg  
Qgs  
Qgd  
160  
50  
30  
nC  
nC  
nC  
VGS = 10 V; VDS = 50 V; ID = 100 A  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
35  
60  
85  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
inductive load  
VGS = 10 V; VDS = 50 V  
ID = 100 A; RG = 1.5 W;  
TJ = 125°C  
Eon  
Eoff  
Erecoff  
tbd  
tbd  
tbd  
mJ  
mJ  
mJ  
RthJC  
RthJH  
1)  
0.85 K/W  
1.4 K/W  
with heat transfer paste (IXYS test setup)  
= ID·(RDS(on) + 2 x RPin to Chip)  
1.1  
V
DS  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2013 IXYS All rights reserved  
20130425  
1 - 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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