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MTE50N10QE3-0-UB-X

更新时间： 2022-02-26 14:03:32

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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8页	401K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE50N10QE3-0-UB-X 数据手册

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Spec. No. : C168E3

Issued Date : 2016.06.24

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 5/ 8

Typical Characteristics(Cont.)

Threshold Voltage vs Junction Tempearture

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage

1000

1.4

1.2

Ciss

I_D=1mA

oss

0.8

0.6

0.4

0.2

100

Crss

I_D=250 A

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

V_DS, Drain-Source Voltage(V)

Tj, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

Gate Charge Characteristics

100

V_DS=10V

V_DS=15V

V_DS=50V

I_D=29A

0.1

0.01

Ta=25°C

Pulsed

0.001

0.01

0.1

100

I_D, Drain Current(A)

Qg, Total Gate Charge(nC)

Maximum Drain Current vs Case Temperature

Maximum Safe Operating Area

1000

R_DSON

Limited

100

10 s

100μs

1ms

10ms

100ms

T_C=25°C, Tj=175°C

V_GS=10V, R _JC=2.5°C/W

V_GS=10V, R =2.5°C/W

Single Pulse

0.1

100

125

150 175

200

0.1

_DS, Drain-Source Voltage(V)

100

1000

T_C, Case Temperature(°C)

MTE50N10QE3

CYStek Product Specification

1 2 3 456 7 8

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