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MTE55N20J3-0-T3-G

更新时间： 2022-02-26 13:07:40

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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9页	410K
描述
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE55N20J3-0-T3-G 数据手册

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Spec. No. : C976J3

Issued Date : 2014.09.17

Revised Date : 2014.10.02

Page No. : 1/9

CYStech Electronics Corp.

N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

MTE55N20J3

ID@VGS=10V

200V

26A

48mΩ

50mΩ

VGS=10V, ID=11A

RDSON(TYP)

VGS=7V, ID=5A

Features

• Low Gate Charge

• Simple Drive Requirement

• Pb-free lead plating package

Equivalent Circuit

Outline

TO-252(DPAK)

MTE55N20J3

D S

G：Gate

D：Drain

S：Source

Ordering Information

Device

Package

TO-252

(Pb-free lead plating and halogen-free package)

Shipping

2500 pcs / Tape & Reel

MTE55N20J3-0-T3-G

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and

green compound products

Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTE55N20J3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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