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MTE50N45 PDF预览

MTE50N45

更新时间： 2024-02-03 09:22:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管栅
页数 文件大小 规格书
7页 389K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS

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MTE50N45 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散 (Abs)：500 W子类别：FET General Purpose Power
Base Number Matches：1

MTE50N45 数据手册

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MTE50N50 MOTOROLA POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS

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