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MTE50N50 PDF预览

MTE50N50

更新时间： 2024-01-11 09:57:11
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管栅
页数 文件大小 规格书
7页 389K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS

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MTE50N50 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大功率耗散 (Abs)：500 W
子类别：FET General Purpose PowerBase Number Matches：1

MTE50N50 数据手册

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