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MTE030N10RV8-0-T6-G

更新时间： 2022-02-26 13:41:47

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE030N10RV8-0-T6-G 数据手册

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Spec. No. : C053V8

Issued Date : 2017.09.11

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 6/9

Typical Characteristics(Cont.)

Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient

(Note on page 2)

Typical Transfer Characteristics

300

250

200

150

100

V_DS=10V

T_J(MAX)=150°C

T_A=25°C

=50°C/W

θJA

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

V_GS, Gate-Source Voltage(V)

Pulse Width(s)

Transient Thermal Response Curves

D=0.5

0.2

0.1

1.Rθ (t)=r(t)*Rθ

0.1

2.Duty Factor, D=t /t

0.05

3.T -T =P *Rθ (t)

=50

4.Rθ

°C/W

0.02

0.01

Single Pulse

0.001

1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

1.E+03

t₁, Square Wave Pulse Duration(s)

MTE030N10RV8

CYStek Product Specification

1...3 4 567 8 9

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