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MTE050N15ARJ3-0-T3-G

更新时间： 2022-02-26 11:39:25

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE050N15ARJ3-0-T3-G 数据手册

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Spec. No. : C035J3

Issued Date : 2017.08.17

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/ 9

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

MTE050N15ARJ3

BVDSS

150V

20A

48 mΩ(typ)

ID@TC=25°C, VGS=10V

RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A

Features

• Low On Resistance

• Simple Drive Requirement

• Low Gate Charge

• Fast Switching Characteristic

• RoHS compliant package

Symbol

Outline

MTE050N15ARJ3

TO-252(DPAK)

D S

G：Gate D：Drain S：Source

Ordering Information

Device

Package

TO-252

Shipping

MTE050N15ARJ3-0-T3-G

2500 pcs / Tape & Reel

(Pb-free lead plating and halogen-free package)

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant

and green compound products

Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTE050N15ARJ3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7...9

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