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MTE030N10RV8-0-T6-G

更新时间： 2022-02-26 13:41:47

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE030N10RV8-0-T6-G 数据手册

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Spec. No. : C053V8

Issued Date : 2017.09.11

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 3/9

Characteristics (TC=25°C, unless otherwise specified)

Symbol

t_{d(ON) *1, 2}

Min.

Typ.

12.6

15.8

5.8

1.3

Max.

Unit

Test Conditions

VDS=50V, ID=4.4A, VGS=10V,

*1, 2

t_{d(OFF) *1, 2}

RGS=1Ω

t_f

*1, 2

f=1MHz

Source-Drain Diode

I_S

V_{SD *1}

trr

16.5

0.73

24.8

26.3

IS=1A, VGS=0V

IF=4.4A, dIF/dt=100A/μs

Qrr

Note : *1.Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%

*2.Independent of operating temperature

Recommended Soldering Footprint

unit : mm

MTE030N10RV8

CYStek Product Specification

1 234 5 6 7...9

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