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MT6C03AE

更新时间: 2024-02-15 00:27:26
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器局域网
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3页 145K
描述
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

MT6C03AE 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.78其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.04 A基于收集器的最大容量:1.15 pF
集电极-发射极最大电压:5 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):80最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e0
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10000 MHzBase Number Matches:1

MT6C03AE 数据手册

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