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MT6C03AE(TE85L)

更新时间： 2024-02-06 12:59:06

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,5V V(BR)CEO,40MA I(C),TSOP

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MT6C03AE(TE85L) 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	3000 MHz
Base Number Matches：	1

MT6C03AE(TE85L) 数据手册

MT6C03AE

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

MT6C03AE

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications

Unit: mm

•

Two devices are built in to the super-thin and extreme super mini (6

pins) package: ES6

Mounted Devices

Q1/Q2: SSM (TESM)

Three-pins (SSM/TESM) mold products are

corresponded.

MT3S03AS (MT3S03AT)

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Symbol

Q1/Q2

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

JEDEC

JEITA

―

Base current

TOSHIBA

2-2N1B

Collector power dissipation

100

Weight: 0.003 g (typ.)

(Note 1)

Junction temperature

125

°C

Storage temperature range

stg

−55~125

Note 1: Total power dissipation of Q1 and Q2.

Marking

Pin Assignment (top view)

2003-07-31

12 3

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