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MT58L512L18FF-10

更新时间: 2024-02-05 13:04:52
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1099K
描述
512KX18 CACHE SRAM, 10ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

MT58L512L18FF-10 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:13 X 15 MM, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1长度:15 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:165字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:13 mmBase Number Matches:1

MT58L512L18FF-10 数据手册

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