5秒后页面跳转
MT58L512L18FF-7.5 PDF预览

MT58L512L18FF-7.5

更新时间: 2024-02-11 01:32:07
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1099K
描述
512KX18 CACHE SRAM, 7.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

MT58L512L18FF-7.5 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:13 X 15 MM, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
最长访问时间:7.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e1
长度:15 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:165
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM宽度:13 mm
Base Number Matches:1

MT58L512L18FF-7.5 数据手册

 浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT58L512L18FF-7.5的Datasheet PDF文件第7页 

与MT58L512L18FF-7.5相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MT58L512L18FF-8.5 ROCHESTER 512KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

获取价格

MT58L512L18FF-8.5IT CYPRESS Cache SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

获取价格

MT58L512L18FQ-10.5 CYPRESS Standard SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格

MT58L512L18FQ-8 CYPRESS Standard SRAM, 512KX18, 6.8ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格

MT58L512L18FS-10 ROCHESTER 512KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

获取价格

MT58L512L18FS-10.5 CYPRESS Standard SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格