是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ28,.44 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.31 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.285 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | VIDEO DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 28 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX4 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 3.66 mm | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.125 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.415 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT42C4256DCJ-12/IT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256DCJ-12/XT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256DCJ-8/883C | MICROSS |
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Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28 | |
MT42C4256EC-10/883C | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256EC-10/IT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256EC-10/XT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256EC-12/883C | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256EC-12/IT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256EC-12/XT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256F-10/883C | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM |