是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.21 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.285 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | VIDEO DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 28 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX4 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.97 mm |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.415 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT42C4256F-12/IT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256F-12/XT | AUSTIN |
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256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM | |
MT42C4256F-8/883C | MICROSS |
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Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 | |
MT42L | MICRON |
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Ultra low-voltage core and I/O power supplies | |
MT42L16M32D1HE-18 AAT | MICRON |
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MT42L16M32D1 | |
MT42L16M32D1HE-18 AUT | MICRON |
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MT42L16M32D1 | |
MT42L16M32D1HE-18 IT | MICRON |
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MT42L16M32D1 | |
MT42L32M32D1HE-18 AAT | MICRON |
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MT42L32M32D1, MT42L64M32D2 | |
MT42L32M32D1HE-18 AUT | MICRON |
获取价格 |
MT42L32M32D1, MT42L64M32D2 | |
MT42L32M32D1HE-18 IT | MICRON |
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This tech note describes considerations in thermal applications for Micron memory devices, |