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MT28S2M32B1LC

更新时间: 2022-11-26 10:31:41
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
60页 1464K
描述
SYNCFLASH MEMORY

MT28S2M32B1LC 数据手册

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ADVANCE  
64Mb: x16, x32  
SYNCFLASH MEMORY  
SYNCFLASH®  
MEMORY  
MT28S4M16B1LC – 1 Meg x 16 x 4 banks  
MT28S2M32B1LC – 512K x 32 x 4 banks  
FEATURES  
• PC133 SDRAM-compatible read timing  
• Fully synchronous; all signals registered on  
positive edge of system clock  
PINASSIGNMENT(TopView)  
86-PinTSOP  
x32  
x16  
x16  
x32  
• Internal pipelined operation; column address can  
be changed every clock cycle  
• Internal banks for hiding row access  
• Programmable burst lengths:  
VCC  
DQ0  
VCCQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VCCQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
86  
85  
84  
83  
82  
81  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
VCC  
DQ0  
VCCQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VCCQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
V
SS  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VCCQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VCCQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VCCQ  
DQ8  
NC  
1, 2 , 4, 8, or full page (read)  
1, 2, 4, or 8 (write)  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Single 3.0V–3.6V power supply  
Additional VHH hardware protect mode (RP#)  
• Supports CAS latency of 1, 2, and 3  
• Four-bank architecture supports true concurrent  
operation with zero latency  
Read any bank while programming or erasing  
any other bank  
• Deep power-down mode: 50µA (MAX)  
• Cross-compatible Flash memory command set  
VCCQ  
DQ8  
NC  
VCC  
VCC  
VSS  
VSS  
DQM0  
WE#  
CAS#  
RAS#  
CS#  
NC  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A1  
DQM0  
WE#  
CAS#  
RAS#  
CS#  
DQM1 DQM1  
DNU  
NC  
CLK  
CKE  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A9  
NC  
CLK  
CKE  
A11  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
NC  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A1  
A2  
MCL  
VCC  
A2  
DQM2  
VCC  
DQM3 MCL  
VSS  
VSS  
RP#  
RP#  
VCCP  
DQ31  
VCCQ  
DQ30  
DQ29  
VSSQ  
DQ28  
DQ27  
VCCQ  
DQ26  
DQ25  
VSSQ  
DQ24  
VSS  
VCCP  
DNU  
VCCQ  
DNU  
DNU  
VSSQ  
DNU  
DNU  
VCCQ  
DNU  
DNU  
VSSQ  
DNU  
VSS  
DQ16  
VSSQ  
DQ17  
DQ18  
VCCQ  
DQ19  
DQ20  
VSSQ  
DQ21  
DQ22  
VCCQ  
DQ23  
VCC  
DNU  
VSSQ  
DNU  
DNU  
VCCQ  
DNU  
DNU  
VSSQ  
DNU  
DNU  
VCCQ  
DNU  
VCC  
OPTIONS  
• Configuration  
MARKING  
4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks)  
2 Meg x 32 (512K x 32 x 4 banks)  
4M16  
2M32  
• Read Timing (Cycle Time)  
5.4ns @ CL3 (143 MHz)  
5.4ns @ CL3 (133 MHz)  
-7E  
-75  
NOTE: 1. The # symbol indicates signal is active LOW.  
• Packages  
2. FBGA ball assignment is on the next page.  
86-pin OCPL2 TSOP (400 mil)  
90-ball FBGA  
TG  
FG  
KEYTIMINGPARAMETERS  
• Operating Temperature Range  
Commercial (0ºC to +70ºC)  
Extended (-40ºC to +85ºC)  
None  
ET1  
ACCESS  
SPEED  
CLOCK  
TIME  
SETUP HOLD  
TIME  
GRADE FREQUENCY CL = 2* CL = 3* TIME  
NOTE: 1. Contact factory for availability.  
-7E  
-7E  
-75  
-75  
143 MHz  
133 MHz  
133 MHz  
100 MHz  
5.4ns 1.5ns 0.8ns  
1.5ns 0.8ns  
2. Off-center parting line.  
5.4ns  
6ns  
Part Number Example:  
5.4ns 1.5ns 0.8ns  
1.5ns 0.8ns  
MT28S4M16B1LCTG-7E  
* CL = CAS (READ) Latency  
64Mb: x16, x32 SyncFlash  
MT28S4M16B1LC_2.p65 – Rev. 2, Pub. 4/02  
©2002,MicronTechnology,Inc.  
1
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY  
MICRONWITHOUTNOTICE.PRODUCTSAREONLYWARRANTEDBYMICRONTOMEETMICRON’SPRODUCTIONDATASHEETSPECIFICATIONS.  

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