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MT28F800B3SG-9B

更新时间： 2024-01-19 05:32:09
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
30页 413K
描述
FLASH MEMORY

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MT28F800B3SG-9B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.56最长访问时间：90 ns
其他特性：100,000 ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：28.02 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,7
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.8 mm
部门规模：16K,8K,96K,128K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12.6 mm
Base Number Matches：1

MT28F800B3SG-9B 数据手册

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8Mb  
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY  
FLASH MEMORY  
MT28F008B3  
MT28F800B3  
3V Only, Dual Supply (Smart 3)  
FEATURES  
• Eleven erase blocks:  
40-Pin TSOP Type I 48-Pin TSOP Type I  
16KB/8K-word boot block (protected)  
Two 8KB/4K-word parameter blocks  
Eight main memory blocks  
• Smart 3 technology (B3):  
3.3V ±0.3V VCC  
3.3V ±0.3V VPP application programming  
5V ±10% VPP application/production programming1  
• Compatible with 0.3µm Smart 3 device  
• Advanced 0.18µm CMOS floating-gate process  
• Address access time: 90ns  
• 100,000 ERASE cycles  
• Industry-standard pinouts  
44-Pin SOP  
• Inputs and outputs are fully TTL-compatible  
• Automated write and erase algorithm  
• Two-cycle WRITE/ERASE sequence  
• TSOP, SOP and FBGA packaging options  
•
Byte- or word-wide READ and WRITE  
(MT28F800B3):  
1 Meg x 8/512K x 16  
OPTIONS  
• Timing  
MARKING  
90ns access  
-9  
GENERAL DESCRIPTION  
• Configurations  
1 Meg x 8  
The MT28F008B3 (x8) and MT28F800B3 (x16/x8) are  
low-voltage, nonvolatile, electrically block-erasable (flash),  
programmable memory devices containing 8,388,608 bits  
organized as 524,288 words (16 bits) or 1,048,576 bytes (8  
bits). Writing and erasing the device is done with a VPP  
voltage of either 3.3V or 5V, while all operations are  
performed with a 3.3V VCC. Due to process technology  
advances, 5V VPP is optimal for application and production  
programming. These devices are fabricated with Micron’s  
advanced 0.18µm CMOS floating-gate process.  
MT28F008B3  
MT28F800B3  
512K x 16/1 Meg x 8  
• Boot Block Starting Word Address  
Top (7FFFFh)  
T
B
Bottom (00000h)  
• Operating Temperature Range  
Commercial (0ºC to +70ºC)  
Extended (-40ºC to +85ºC)  
None  
ET  
• Packages  
The MT28F008B3 and MT28F800B3 are organized  
into eleven separately erasable blocks. To ensure that  
critical firmware is protected from accidental erasure or  
overwrite, the devices feature a hardware-protected  
boot block. This block may be used to store code imple-  
mented in low-level system recovery. The remaining  
blocks vary in density and are written and erased with  
no additional security measures.  
40-pin TSOP Type I (MT28F008B3)  
48-pin TSOP Type I (MT28F800B3)  
44-pin SOP (MT28F800B3)  
VG  
WG  
SG  
NOTE:  
1. This generation of devices does not support 12V VPP  
production programming; however, 5V VPP application  
production programming can be used with no loss of  
performance.  
Part Number Example:  
Refer to Micron’s Web site (www.micron.com/flash)  
for the latest data sheet.  
MT28F800B3WG-9 BET  
8MbSmart3BootBlockFlashMemory  
Q10_3.p65 – Rev. 3, Pub. 10/01  
1
©2001,MicronTechnology,Inc.  
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.  
1234567...30

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