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MT28GU256AAA2EGC-0AAT

更新时间： 2024-09-29 15:18:47
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镁光 - MICRON /
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Legacy NOR Flash

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MT28GU256AAA2EGC-0AAT 数据手册

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256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory  
Features  
Micron StrataFlash Embedded Memory  
MT28GU256AAA2EGC-0AAT, MT28GU512AAA2EGC-0AAT,  
MT28GU01GAAA2EGC-0AAT  
• Power  
– Core voltage: 1.7– 2.0V  
– I/O voltage: 1.7–2.0V  
– Standby current: 60μA (TYP) for 512Mb  
– Automatic power savings mode  
– 16-word synchronous-burst read current: 23mA  
(TYP) @ 108 MHz; 24mA (TYP) @ 133 MHz  
• Software  
Features  
• High-performance read, program, and erase  
– 106ns initial read access  
– 108 MHz with zero wait-state synchronous burst  
reads: 7ns clock-to-data output  
– 133 MHz with zero wait-state synchronous burst  
reads: 6ns clock-to-data output  
– 8-, 16-, and continuous-word synchronous-burst  
reads  
– Programmable WAIT configuration  
– Customer-configurable output driver impedance  
– Buffered programming: 2.0 μs/word (TYP),  
512Mb  
– Block erase: 0.9s per block (TYP)  
– 20μs (TYP) program/erase suspend  
• Architecture  
– 16-bit wide data bus  
– Multilevel cell technology  
– Micron® Flash data integrator (FDI) optimized  
– Basic command set (BCS) and extended com-  
mand set (ECS) compatible  
– Common Flash interface (CFI) capable  
• Security  
– One-time programmable (OTP) space  
64 unique factory device identifier bits  
2112 user-programmable OTP bits  
– Absolute write protection: VPP = GND  
– Power-transition erase/program lockout  
– Individual zero latency block locking  
– Individual block lock-down  
– Symmetrically-blocked array architecture  
– 256KB erase blocks  
• Density and packaging  
– 1Gb device: Eight 128Mb partitions  
– 512Mb device: Eight 64Mb partitions  
– 256Mb device: Eight 32Mb partitions  
– Status register for partition/device status  
– Blank check feature  
– 256Mb, 512Mb, and 1Gb  
– Address-data multiplexed interface  
– 64-Ball TBGA  
• Quality and reliability  
– Automotive temperature: –40°C to +105°C (Grade  
2 AEC-Q100)  
– Minimum 100,000 ERASE cycles per block  
– More than 20 years data retention  
– 65nm process technology  
CCMTD-1725822587-2936  
MT28GUxxxAAA2EGC-0AAT.pdf - Rev. F 5/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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