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MSS20-XXX-X

更新时间： 2024-11-07 00:38:35
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描述
Zero Bias Schottky Diodes

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MSS20-XXX-X 数据手册

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MSS20-xxx-x Series  
Zero Bias Schottky Diodes  
Rev. V2  
Features  
Very Low 1/f Noise  
Detector Applications up to 40 GHz  
Chip Beam Lead and Packaged Devices  
Description  
The MSS20-xxx-x Series of Schottky diodes is  
fabricated on P-Type epitaxial substrates for  
superior 1/f noise performance in microwave 0-bias  
detector applications up to 40 GHz.  
Chip  
Electrical Specifications: TA = 25°C  
CJ  
Max.  
pF  
TSS  
Typ.  
dBm  
RV  
Min.  
Ω
RV  
Max.  
Ω
ϓ
Typ.  
mV / mW  
Frequency  
Max.  
Model  
Outline  
GHz  
MSS20-046-C15  
MSS20-047-C15  
MSS20-050-C15  
MSS20-051-C15  
MSS20-054-C15  
MSS20-055-C15  
0.10  
0.10  
0.15  
0.15  
0.20  
0.20  
-58  
-59  
-58  
-59  
-58  
-59  
1000  
2000  
1000  
2000  
1000  
2000  
2000  
6000  
2000  
6000  
2000  
6000  
5000  
8000  
5000  
8000  
5000  
8000  
18  
18  
12  
12  
8
C15  
C15  
C15  
C15  
C15  
C15  
8
f = 1 MHz,  
VR = 0 V  
f = 10 GHz,  
NF = 3 dB  
PIN = -30 dBm  
Video BW = 500 KHz  
Test Conditions  
RL = 1 MΩ  
Beam Lead  
Electrical Specifications: TA = 25°C  
CJ  
Max.  
pF  
TSS  
Typ.  
dBm  
RV  
Min.  
Ω
RV  
Max.  
Ω
ϓ
Typ.  
mV / mW  
Frequency  
Max.  
Model  
Outline  
GHz  
MSS20-140-B10D  
MSS20-141-B10D  
MSS20-142-B10D  
MSS20-143-B10D  
MSS20-145-B10D  
MSS20-146-B10D  
0.08  
0.08  
0.10  
0.10  
0.12  
0.12  
-58  
-59  
-58  
-59  
-58  
-59  
1000  
2000  
1000  
2000  
1000  
2000  
2000  
6000  
2000  
6000  
2000  
6000  
5000  
8000  
5000  
8000  
5000  
8000  
40  
40  
26  
26  
18  
18  
B10D  
B10D  
B10D  
B10D  
B10D  
B10D  
f = 1 MHz,  
VR = 0 V  
f = 10 GHz,  
NF = 3 dB  
PIN = -30 dBm  
Video BW = 500 KHz  
Test Conditions  
RL = 1 MΩ  
(Continued next page)  
1
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Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
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