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MSP430FR5848

更新时间： 2024-10-18 11:11:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器比较器
页数 文件大小 规格书
147页 4050K
描述
具有 48KB FRAM、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU

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MSP430FR5848 数据手册

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MSP430FR5849, MSP430FR5848, MSP430FR5847, MSP430FR58471  
ZHCSCI4E –MAY 2014–REVISED AUGUST 2018  
MSP430FR586x、MSP430FR584x 混合信号微控制器  
1 器件概述  
1.1 特性  
1
– 可每位、每字节和每字访问（成对访问）  
– 所有端口上，从 LPM 中的边沿可选唤醒  
– 所有端口上可编程上拉和下拉  
• 代码安全性和加密  
• 嵌入式微控制器  
– 高达 16MHz 时钟频率的 16 位 RISC 架构  
– 3.6V 至 1.8V 的宽电源电压范围（最低电源电压  
受限于 SVS 电平，请参阅 SVS 规格）  
• 经优化的超低功耗模式  
– 针对随机数生成算法的随机数种子  
• 增强型串行通信  
– 工作模式：大约 100µA/MHz  
– 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的  
LPM3）：0.4µA（典型值）  
– 实时时钟 (LPM3.5)：0.25µA（典型值）  
– eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持  
– 支持自动波特率侦测的通用异步收发器  
(1)  
(UART)  
– 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）  
• 超低功耗铁电 RAM (FRAM)  
– IrDA 编码和解码  
– 串行外设接口 (SPI)  
– eUSCI_B0 支持  
– 高达 64KB 的非易失性存储器  
– 超低功耗写入  
– 125ns 每个字的快速写入（4ms 内写入 64KB）  
– 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存  
储
– 1015 写入周期持久性  
– 抗辐射和非磁性  
– 支持多个从器件寻址的 I2C  
– SPI  
– 硬件 UART 和 I2C 引导加载程序 (BSL)  
• 灵活时钟系统  
– 具有 10 个可选厂家调整频率的定频数控振荡器  
(DCO)  
• 智能数字外设  
– 低功率低频内部时钟源 (VLO)  
– 32kHz 晶振 (LFXT)  
– 高频晶振 (HFXT)  
– 32 位硬件乘法器 (MPY)  
– 3 通道内部 DMA  
– 具有日历和报警功能的实时时钟 (RTC)  
• 开发工具和软件  
– 5 个 16 位定时器，每个定时器具有多达 7 个捕  
捉/比较寄存器  
– 16 位循环冗余校验器 (CRC)  
• 高性能模拟  
– 自由的专业开发环境 具有 EnergyTrace++™技术  
– 开发套件 (MSP-TS430RGZ48C)  
• 系列产品成员  
– 器件比较 汇总了可用器件变型和封装类型  
– 16 通道模拟比较器  
• 要获得完整的模块说明，请参见  
《MSP430FR58xx、MSP430FR59xx 和  
MSP430FR6xx 系列用户指南》  
– 12 位模数转换器 (ADC)  
具有内部基准和采样保持  
和高达 16 个外部输入通道  
• 多功能输入/输出端口  
– 所有引脚支持电容触摸功能，无需外部组件  
(1) 实时时钟 (RTC) 由 3.7pF 晶振计时。  
1.2 应用  
•
•
•
计量  
•
•
传感器管理  
数据日志  
能量采集传感器节点  
可穿戴电子产品  
1.3 说明  
MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而  
使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐  
久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
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