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MSMBG18A/TR

更新时间： 2024-11-06 19:37:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	502K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

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MSMBG18A/TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.47	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	22.1 V
最小击穿电压：	20 V	击穿电压标称值：	21.05 V
最大钳位电压：	29.2 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-215AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.38 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	18 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMBG18AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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MSMBG18CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
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