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MSMBG160AE3

更新时间： 2024-11-05 19:07:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	502K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

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MSMBG160AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-215AA
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	197 V	最小击穿电压：	178 V
击穿电压标称值：	187.5 V	最大钳位电压：	259 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-215AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.38 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	160 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMBG160AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
MSMBG160AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
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MSMBG160CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMBG160CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
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MSMBG16A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 16V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2