5秒后页面跳转
MSM54C864-10ZS PDF预览

MSM54C864-10ZS

更新时间: 2024-02-24 09:39:49
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 存储动态存储器
页数 文件大小 规格书
33页 354K
描述
65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

MSM54C864-10ZS 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.71
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码:R-PZIP-T40长度:51.2 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:40
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:12.07 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG宽度:2.8 mm
Base Number Matches:1

MSM54C864-10ZS 数据手册

 浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MSM54C864-10ZS的Datasheet PDF文件第7页 
¡ Semiconductor  
MSM54C864  
BLOCK DIAGRAM  
W1/IO1 - W8/IO8  
SIO1 - SIO8  
I/O Buffer  
(SAM)  
I/O Buffer  
(RAM)  
Timing Generator  
Mask  
Register  
(8 Bit)  
Write  
Control  
Write per  
Bit Control  
VCC  
VSS  
256 ¥ 256 ¥ 8  
Cell Array  
Serial Address  
Counter  
Row Decoder  
Column Address  
Buffer  
Refresh  
Counter  
Row Address  
Buffer  
A0 - A7  
3/33  

与MSM54C864-10ZS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MSM54C864-70 OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格

MSM54C864-70JS OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格

MSM54C864-70ZS OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格

MSM54C864-80 OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格

MSM54C864-80JS OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格

MSM54C864-80ZS OKI 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

获取价格